Την επόμενη γενιά μνήμης παρουσίασε η Samsung , την DRAM LPDDR5x, η οποία επιδεικνύει εύρος ζώνης μνήμης μεγέθους 10,7 Gbps.
Η νέα LPDDR5x DRAM 10,7Gbps της Samsung είναι η ταχύτερη έκδοση του προτύπου DDR5 Low Profile μέχρι σήμερα. Είναι ταχύτερη από την LPDDR5x πρώτης γενιάς της ίδιας της Samsung, η οποία υποστηρίζει ταχύτητες έως και 8533 MT/s (8,5 Gbps) και ταχύτερη από την LPDDR5x 9,6 Gbps που έχει παρουσιάσει Micron.
Για την κατασκευή του νέου αυτού τύπου μνήμης, η Samsung χρησιμοποιεί τη δική της μέθοδο κατασκευής 12nm. Η μνήμη σχεδιάστηκε για να ικανοποιήσει τις απαιτήσεις για επιτάχυνση των εφαρμογών και των φόρτων εργασίας Τεχνητής Νοημοσύνης τοπικά από φορητές συσκευές με εξειδικευμένο υλικό (π.χ. NPU ή Neural Processing Unit) και για αυτό ήταν απαραίτητο το υψηλό εύρος ζώνης των 10,7Gbps (workloads και εφαρμογές Τεχνητής Νοημοσύνης έχουν μεγάλες απαιτήσεις σε bandwidth).
Πέρα από ταχύτερη, η νέα DRAM LPDDR5X 10,7Gbps της Samsung είναι κατά 25% ενεργειακά αποδοτικότερη σε σύγκριση με τον προκάτοχό της, χάρη στην εξειδικευμένη τεχνολογία εξοικονόμησης ενέργειας που προσαρμόζει την ισχύ ανάλογα με τις απαιτήσεις φόρτου εργασίας. Τα χρονικά διαστήματα σε λειτουργία χαμηλής κατανάλωσης (low-power mode) έχουν επίσης επεκταθεί, κάτι που λειτουργεί συμπληρωματικά για την ανώτερη ενεργειακή αποδοτικότητα. Η «πυκνότητα» έχει επίσης βελτιωθεί, καθώς πλέον υποστηρίζονται έως και 32GB ανά μονάδα – 30% αύξηση σε σχέση με τις μονάδες LPDDR5X της προηγούμενης γενιάς της εταιρείας.
Η μαζική παραγωγή της νέας DRAM LPDDR5X 10,7Gbps θα ξεκινήσει, σύμφωνα με πληροφορίες, το δεύτερο εξάμηνο του τρέχοντος έτους, πράγμα που σημαίνει ότι μέχρι το τέλος του 2024 θα δούμε και τις πρώτες συσκευές που θα την ενσωματώνουν.
