Μπορεί οι DDR5 μνήμες να μην έχουν γίνει ακόμη mainstream, με πολλούς hardware enthusiasts να περιμένουν τους νέους Zen 4 επεξεργαστές της AMD και την 13η γενιά της Intel για να κάνουν τη μετάβαση, αλλά ήδη οι κατασκευαστές κοιτάζουν το μέλλον και τις DDR6 RAM.
Αναλυτικότερα, κατά τη διάρκεια ενός σεμιναρίου στο Suwon της Νότιας Κορέας, η Samsung επιβεβαίωσε ότι βρίσκεται ήδη στα πρώτα στάδια ανάπτυξης DDR6 μνημών επόμενης γενιάς, τονίζοντας μάλιστα ότι σκοπεύει να αξιοποιήσει επιτέλους την MSAP τεχνολογία.
Ο κορεατικός τεχνολογικός κολοσσός εκτιμά ότι ο σχεδιασμός των DDR6 μνημών θα έχει ολοκληρωθεί μέχρι το 2024, αλλά η εμφάνισή τους στο εμπόριο αναμένεται να γίνει μετά το 2025. Όσον αφορά τις τεχνικές προδιαγραφές, οι DDR6 θα είναι έως και δύο φορές ταχύτερες από τις υπάρχουσες DDR5, με ταχύτητες μεταφοράς έως και 12.800 Mbps (JEDEC), την ώρα που οι overclocked ταχύτητες θα ξεπερνούν τα 17.000 Mbps!
Όσον αφορά τώρα την MSAP τεχνολογία, η Samsung τόνισε ότι οι ανταγωνιστές της, SK Hynix και Micron, την αξιοποιούν ήδη στις DDR5 μνήμες τους και έτσι σκοπεύει να “επανορθώσει”. Σε περίπτωση που δε γνωρίζετε, το Modified Semi-Additive Process επιτρέπει στους κατασκευαστές μνημών να δημιουργούν RAM με λεπτότερα κυκλώματα. Αυτό επιτυγχάνεται με την επικάλυψη μοτίβων σε κενούς χώρους που προηγουμένως παρέμεναν ανέγγιχτοι, επιτρέποντας καλύτερες συνδέσεις και υψηλότερες ταχύτητες μεταφοράς.
Φυσικά, πέρα από αυτή την τεχνολογία, ο αυξημένος αριθμός στρωμάτων των DDR6 θα βοηθήσει και αυτός σημαντικά για την επίτευξη του στόχου των υψηλότερων ταχυτήτων.
