Ως ένας από τους μεγαλύτερους κατασκευαστές στη βιομηχανία των ημιαγωγών, η Samsung έδωσε το παρόν στο ετήσιο συνέδριο Hot Chips 33 και εκεί αποκάλυψε πως έχει προχωρήσει στην ανάπτυξη του πρώτου DDR5 512GB RAM module. Σύμφωνα με την εταιρεία, η συγκεκριμένη μνήμη προσφέρει 40% μεγαλύτερη απόδοση, διπλάσια χωρητικότητα και δυνατότητα λειτουργίας σε χαμηλότερη τάση σε σύγκριση με τις μνήμες DDR4.
Το DDR5 512GB RAM module αποτελείται από 8 στοιβαγμένα DDR5 dies που συνενώνονται μεταξύ τους με χρήση πυριτίου (τεχνολογία TSV), μια διεργασία που θεωρείται σπουδαίο άλμα για τη βιομηχανία, καθώς μέχρι πρότινος το καλύτερο που μπορούσαν να κάνουν ήταν η χρήση 4 dies σε τέτοια διάταξη. Παρά την χρήση των 8 dies, η Samsung κατάφερε να τα στοιβάξει σε ένα συνολικό πάχος μόλις 1.0mm, δηλαδή λιγότερο από το 1.2mm των DDR4 modules. Το επίτευγμα οφείλεται στη νέα τεχνική διαχείρισης των wafers που μειώνει το κενό μεταξύ των dies κατά 40%. Σε ό,τι αφορά την τάση, το DDR5 512GB RAM module λειτουργεί στο 1.1V δηλαδή σχεδόν 10% λιγότερο από την τάση λειτουργίας των DDR4 RAM modules.
Προτού αρχίσουμε να φανταζόμαστε προσωπικούς υπολογιστές με 512GB μνήμη RAM, να σημειώσουμε ότι η Samsung προορίζει αυτά τα modules για χρήση σε servers και data centers. Παρόλα αυτά, θα ετοιμάσει και DDR5 modules αντίστοιχης τεχνολογίας με λίγότερη μνήμη (έως 64GB) για εμπορική χρήση.
Η μαζική παραγωγή των DDR5 RAM modules για καταναλωτές δεν θα ξεκινήσει πριν το 2023, αλλά το συγκεκριμένο 512GB DDR5 RAM module θα μπει στη γραμμή στα τέλη του 2021.
